Ⅰ 選一隻股票進行基本分析和技術分析的論文 急求急求
或許我們對待股票缺乏的是耐性
在股市投資經歷中，時常會有手中個股稍有套牢就心中惶惶；眼看其它個股大幅上漲而手中個股依然不動就失去了耐性。其實您看到的上漲股票中固然有單一個股的連續上漲，多數的還是輪番上漲，您可別沒等到風水輪轉輪到您這兒的時候您已賣出了手中股票。
在時間上，也不是總在股市裡總有收益，有時候或需要置身其外，超脫一點。短時間的不理想不代表全年的不理想，最終獲益那是目的。
也有投資者在走入極端。記得某單位一人在大半年前興沖沖對我談起某股票肯定會上沖到多少元，不然我就如何如何。前天見到該人問起怎樣時，他扔下了一句話：我就搞里不管了，隨它去。
您當然是想買一個股票就是一個准，這個心情可以理解。但要知道在股市中受益，絕非您所想的那樣容易。要知道，在股市上，有著多得數不勝數的行家裡手，有著資金實力十分雄厚的主力團隊，有著兇悍的股市投資家一族，您的收益難度就可想而知了。
股市難度大那是一定的了，但也絕不是沒有戲。這就需要知識，需要理性。您要有把您所學到的全部知識統統都拿出來的准備，即便如此，您還會感覺知識的不足，有時就需要借力。
在股票操作上，多數人在買入上還是挺好的，之所以賬戶未有大的起色，關鍵點是不會賣，不會把握良好的賣出點。幾番下來，難免會失去耐性。賣出點的把握，sp紀律是首選。賣出點的選擇絕不是教條，絕不可能一成不變，在執行sp紀律上要因時制宜，要有微調。記得在群里結合600584長電科技當日走勢的賣出點確定問題上，與群友詳盡的交流了一下(C群2009-09-11上午)，這就是解釋sp紀律的具體運用。
短線要有止損和鎖定盈利的概念。對於已有的虧損不忍心賣出或會導致損失的擴大；盈利時不賣出或會功虧一簣，免不了坐了回電梯。（鏈接：《賣出股票的意義大了去了》《賣出股票時思想上要做到「兩個忘記」》）
對於沒有經驗的投資者，對於少有時間觀盤的投資者，中線持股乃至長線持股或是首選。不要企望手中股票明天就大漲起來，有時候就需要耐性。比如8個月漲幅+270%的600703三安光電（可在網路中鍵入「600703三安光電 石洱歌」查找），000159國際實業在一個半月時間里最高上漲了+70%（ 可在網路中鍵入「000159國際實業 石洱歌」查找），還有002097山河智能（可在網路中鍵入「002097山河智能 石洱歌」查找 ）、002012凱恩股份（可在網路中鍵入「002012凱恩股份 石洱歌」查找），
股市投資是一件有意義的事，既支持了國家的經濟發展，又可以使自己分享國家經濟發展帶來的成果。還是要不斷地總結經驗教訓，不斷的提高自己駕馭的能力，要探索出自己的實用的操作路子，在股市投資中快樂收益。
Ⅱ 科學家的小故事
科學家的故事
每個科學家都有他失敗的一面,現在,我就來看一看科學家的故事.
故事一:
波義耳——懷疑派化學家
波義耳1627年1月25日出生於愛爾蘭的一個貴族家庭。父親是個伯爵，家庭富有。在十四個兄弟中他最小。童年時波義耳並不特別聰明，說話還有點口吃，不大喜歡熱鬧的游戲，但卻十分好學，喜歡靜靜地讀書思考。他從小受到良好的教育，1639至1644年，曾游學歐洲。在這期間，他閱讀了許多自然科學書籍，包括天文學家和物理學家伽利略的名著《關於兩大世界體系的對話》。這本書給他留下深刻的印象。他後來的名著《懷疑派化學家》就是模仿這本書寫的。
由於戰亂、父親去世、家道衰落，1644年他回國隨姐姐居住在倫敦。在那裡開始學醫學和農業。學習中接觸了很多化學知識和化學實驗，很快成為一位訓練有素的化學實驗家，同時也成為一位有創造能力的理論家。在這期間，他同許多學者一起組織一個科學學會，進行每周一次的討論會，主要討論自然科學的最新發展和在實驗室中遇到的問題。波義耳稱這個組織為「無形大學」。這個學會就是著名的以促進自然科學發展為宗旨的「皇家學會」的前身。波義耳是該學會的重要成員。由於學會的分會設在牛津，波義耳於1654年遷居牛津，在牛津，他建立了設備齊全的實驗室，並聘用了一些很有才華的學者作為助手，領導他們進行各種科學研究。他的許多科研成果是在這里取得的。那本劃時代的名著《懷疑派化學家》是在這里完成的。這本書以對話的體裁，寫四位哲學家在一起爭論問題，他們分別為懷疑派化學家、逍遙派化學家、醫葯化學家和哲學家。逍遙派化學家代表亞里土多德的「四元素說」觀點，醫葯化學家代表「三元素說」觀點，哲學家在爭論中保持中立。在這里，懷疑派化學家毫不畏懼地向歷史上權威的各種傳統學說提出挑戰，以明快和有力的論述批駁了許多舊觀念，提出新見解。該書曾廣泛流傳於歐洲大陸。
波義耳十分重視實驗研究。他認為只有實驗和觀察才是科學思維的基礎。他總是通過嚴密的和科學的實驗來闡明自己的觀點。在物理學方面，他對光的顏色、真空和空氣的彈性等進行研究，總結了波義耳氣體定律；在化學方面，他對酸、鹼和指示劑的研究，對定性檢驗鹽類的方法的探討，都頗有成效。他是第一位把各種天然植物的汁液用作指示劑的化學家。石蕊試液、石蕊試紙都是他發明的。他還是第一個為酸、鹼下了明確定義的化學家，並把物質分為酸、鹼、鹽三類。他創造了很多定性檢驗鹽類的方法，如利用銅鹽溶液是藍色的，加入氨水溶液變成深藍色（銅離子與足量氨水形成銅氨絡離子）來檢驗銅鹽；利用鹽酸和硝酸銀溶液混合能產生白色沉澱來檢驗銀鹽和鹽酸。波義耳的這些發明富有長久的生命力，以至我們今天還經常使用這些最古老的方法。波義耳還在物質成分和純度的測定、物質的相似性和差異性的研究方面做了不少實驗。在1685年發表的《礦泉水的實驗研究史的簡單回顧》中描述了一套鑒定物質的方法，成為定性分析的先驅。
1668年，由於姐夫去世，他又遷居倫敦和姐姐住在一起，並在家的後院建立實驗室，繼續進行他的實驗工作。晚年波義耳的工作主要集中在對磷的研究上。1670年，波義耳因勞累而中風，之後的健康狀況時好時壞，當無法在實驗室進行研究工作時，他致力於整理他多年從實踐和推理中獲得的知識。只要身體稍感輕快，就去實驗室做他的實驗或撰寫論文，並以此為樂趣。1680年，他曾被推選為皇家學會的會長，但他謝絕接受這一榮譽。他雖出身貴族，但他一生醉心的卻是在科學研究中工作和生活，他從未結婚，用畢生精力從事對自然科學的探索。1691年12月30日，這位曾為17世紀的化學科學奠定基礎的科學家在倫敦逝世。恩格斯曾對他作出最崇高的評價：「波義耳把化學確定為科學。」
故事二:
普利斯特里——氣體化學之父
普利斯特里1733年3月13日出生在英國利茲，從小家境困難，由親戚撫養成人。175年進入神學院。畢業後大部分時間是做牧師，化學是他的業余愛好。他在化學、電學、自然哲學、神學等方面都有很多著作。他寫了許多自以為得意的神學著作，然而使他名垂千古的卻是他的科學著作。1764年他31歲時寫成《電學史》。當時這是一部很有名的書，由於這部書的出版，1766年他就當選為英國皇家學會會員。
1722年他39歲時，又寫成了一部《光學史》。也是18世紀後期的一本名著。當時，他在利茲一方面擔任牧師，一方面開始從事化學的研究工作。他對氣體的研究是頗有成效的。他利用製得的氫氣研究該氣體對各種金屬氧化物的作用。同年，普利斯特里還將木炭置於密閉的容器中燃燒，發現能使五分之一的空氣變成碳酸氣，用石灰水吸收後，剩下的氣體不助燃也不助呼吸。由於他虔信燃素說，因此把這種剩下來的氣體叫「被燃素飽和了的空氣」。顯然他用木炭燃燒和鹼液吸收的方法除去空氣中的氧和碳酸氣，製得了氮氣。此外，他發現了氧化氮（NO），並用於空氣的分析上。還發現或研究了氯化氫、氨氣、亞硫酸氣體（二氧化碳）、氧化二氮、氧氣等多種氣體。1766年，他的《幾種氣體的實驗和觀察》三卷本書出版。該書詳細敘述各種氣體的制備或性質。由於他對氣體研究的卓著成就，所以他被稱為「氣體化學之父」。
在氣體的研究中最為重要的是氧的發現。1774年，普利斯特里把汞煙灰（氧化汞）放在玻璃皿中用聚光鏡加熱，發現它很快就分解出氣體來。他原以為放出的是空氣，於是利用集氣法收集產生的氣體，並進行研究，發現該氣體使蠟燭燃燒更旺，呼吸它感到十分輕松舒暢。他製得了氧氣，還用實驗證明了氧氣有助燃和助呼吸的性質。但由於他是個頑固的燃素說信徒，仍認為空氣是單一的氣體，所以他還把這種氣體叫「脫燃素空氣」，其性質與前面發現的「被燃素飽和的空氣」（氮氣）差別只在於燃素的含量不同，因而助燃能力不同。同年他到歐洲參觀旅行，在巴黎與拉瓦錫交換好多化學方面的看法，並把用聚光鏡使汞銀灰分解的試驗告訴拉瓦錫，使拉瓦錫得益匪淺。拉瓦錫正是重復了普利斯特里有關氧的試驗，並與大量精確的實驗材料聯系起來，進行科學的分析判斷，揭示了燃燒和空氣的真實聯系。可是直到1783年，拉瓦錫的燃燒與氧化學說已普遍被人們認為是正確的時候，普利斯特里仍不接受拉瓦錫的解釋，還堅持錯誤的燃素說，並且寫了許多文章反對拉瓦錫的見解。這是化學史上很有趣的事實。一位發現氧氣的人，反而成為反對氧化學說的人。然而普利斯特里所發現的氧氣，是後來化學蓬勃發展的一個重要因素。因此各國化學家至今都還很尊敬普利斯特里。
1791年，他由於同情法國大革命，作了好幾次為大革命的宣傳講演，而受到一些人的迫害，家被抄，圖書及實驗設備都被付之一炬。他隻身逃出，躲避在倫敦，但倫敦也難於久居。1794年他六十一歲時不得不移居美國。在美國繼續從事科學研究。1804年病故。英、美兩國人民都十分尊敬他，在英國有他的全身塑像。在美國，他住過的房子已建成紀念館，以他的名字命名的普利斯特里獎章已成為美國化學界的最高榮譽。
故事三:
居里夫人
瑪麗·居里（居里夫人）是法籍波蘭物理學家、化學家。
1898年法國物理學家貝可勒爾（AntoineHenriBecquerel）發現含鈾礦物能放射出一種神秘射線，但未能揭示出這種射線的奧秘。瑪麗和她的丈夫彼埃爾·居里（Pierrecurie）共同承擔了研究這種射線的工作。他們在極其困難的條件下，對瀝青鈾礦進行分離和分析，終於在1898年7月和12月先後發現兩種新元素。
為了紀念她的祖國波蘭，她將一種元素命名為釙（polonium），另一種元素命名為鐳（Radium），意思是「賦予放射性的物質」。為了製得純凈的鐳化合物，居里夫人又歷時四（MarieCuI7e，1867--1934）載，從數以噸計的瀝青鈾礦的礦渣中提煉出1O0 mg氯化鐳，並初步測量出鐳的相對原子質量是225。這個簡單的數字中凝聚著居里夫婦的心血和汗水。
1903年6月，居里夫人以《放射性物質的研究》作為博士答辯論文獲得巴黎大學物理學博士學位。同年11月，居里夫婦被英國皇家學會授予戴維金質獎章。12月，他們又與貝可勒爾共獲1903年諾貝爾物理學獎。
1906年，彼埃爾·居里遭車禍去世。這一沉重的打擊並沒有使她放棄執著的追求，她強忍悲痛加倍努力地去完成他們摯愛的科學事業。她在巴黎大學將丈夫所開的講座繼續下去，成為該校第一位女教授。1910年，她的名著《論放射性》一書出版。同牟，她與別人合作分析純金屬鐳，並測出它的性質。她還測定了氧及其他元素的半衰期，發表了一系列關於放射性的重要論著。鑒於上述重大成就，1911年她叉獲得了諾貝爾化學獎，成為歷史上第一位兩次獲得諾貝爾獎的偉大科學家。
這位飽嘗科學甘苦的放射性科學的奠基人，因多年艱苦奮斗積勞成疾，患惡性貧血症（白血病）於1934年7月4日不幸與世長辭，她為人類的科學事業，獻出了光輝的一生。
Ⅲ 跪求(集成電路晶元封裝技術的發展前景)
先進的晶元尺寸封裝(CSP)技術及其發展前景
2007/4/20/19:53 來源：微電子封裝技術
汽車電子裝置和其他消費類電子產品的飛速發展，微電子封裝技術面臨著電子產品「高性價比、高可靠性、多功能、小型化及低成本」發展趨勢帶來的挑戰和機遇。QFP（四邊引腳扁平封裝）、TQFP（塑料四邊引腳扁平封裝）作為表面安裝技術（SMT）的主流封裝形式一直受到業界的青睞，但當它們在0.3mm引腳間距極限下進行封裝、貼裝、焊接更多的I/O引腳的VLSI時遇到了難以克服的困難，尤其是在批量生產的情況下，成品率將大幅下降。因此以面陣列、球形凸點為I/O的BGA（球柵陣列）應運而生，以它為基礎繼而又發展為晶元尺寸封裝（ChipScalePackage，簡稱CSP）技術。採用新型的CSP技術可以確保VLSI在高性能、高可靠性的前提下實現晶元的最小尺寸封裝（接近裸晶元的尺寸），而相對成本卻更低，因此符合電子產品小型化的發展潮流，是極具市場競爭力的高密度封裝形式。
CSP技術的出現為以裸晶元安裝為基礎的先進封裝技術的發展，如多晶元組件(MCM)、晶元直接安裝(DCA),注入了新的活力，拓寬了高性能、高密度封裝的研發思路。在MCM技術面臨裸晶元難以儲運、測試、老化篩選等問題時，CSP技術使這種高密度封裝設計柳暗花明。
2CSP技術的特點及分類
2.1CSP之特點
根據J-STD-012標準的定義，CSP是指封裝尺寸不超過裸晶元1.2倍的一種先進的封裝形式[1]。CSP實際上是在原有晶元封裝技術尤其是BGA小型化過程中形成的，有人稱之為μBGA（微型球柵陣列，現在僅將它劃為CSP的一種形式），因此它自然地具有BGA封裝技術的許多優點。
(1)封裝尺寸小，可滿足高密封裝CSP是目前體積最小的VLSI封裝之一，引腳數（I/O數）相同的CSP封裝與QFP、BGA尺寸比較情況見表1[2]。
由表1可見，封裝引腳數越多的CSP尺寸遠比傳統封裝形式小，易於實現高密度封裝，在IC規模不斷擴大的情況下，競爭優勢十分明顯，因而已經引起了IC製造業界的關注。
一般地，CSP封裝面積不到0.5mm節距QFP的1/10，只有BGA的1/3~1/10[3]。在各種相同尺寸的晶元封裝中，CSP可容納的引腳數最多，適宜進行多引腳數封裝，甚至可以應用在I/O數超過2000的高性能晶元上。例如，引腳節距為0.5mm，封裝尺寸為40×40的QFP，引腳數最多為304根，若要增加引腳數，只能減小引腳節距，但在傳統工藝條件下，QFP難以突破0.3mm的技術極限；與CSP相提並論的是BGA封裝，它的引腳數可達600~1000根，但值得重視的是，在引腳數相同的情況下，CSP的組裝遠比BGA容易。
（2）電學性能優良CSP的內部布線長度（僅為0.8~1.0mm）比QFP或BGA的布線長度短得多[4]，寄生引線電容(<0.001mΩ)、引線電阻（<0.001nH）及引線電感（<0.001pF）均很小，從而使信號傳輸延遲大為縮短。CSP的存取時間比QFP或BGA短1/5~1/6左右，同時CSP的抗噪能力強，開關雜訊只有DIP（雙列直插式封裝）的1/2。這些主要電學性能指標已經接近裸晶元的水平，在時鍾頻率已超過雙G的高速通信領域，LSI晶元的CSP將是十分理想的選擇。
(3)測試、篩選、老化容易MCM技術是當今最高效、最先進的高密度封裝之一，其技術核心是採用裸晶元安裝，優點是無內部晶元封裝延遲及大幅度提高了組件封裝密度，因此未來市場令人樂觀。但它的裸晶元測試、篩選、老化問題至今尚未解決，合格裸晶元的獲得比較困難，導致成品率相當低，製造成本很高[4]；而CSP則可進行全面老化、篩選、測試，並且操作、修整方便，能獲得真正的KGD晶元，在目前情況下用CSP替代裸晶元安裝勢在必行。
（4）散熱性能優良CSP封裝通過焊球與PCB連接，由於接觸面積大，所以晶元在運行時所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB上並散發出去；而傳統的TSOP（薄型小外形封裝）方式中，晶元是通過引腳焊在PCB上的，焊點和pcb板的接觸面積小，使晶元向PCB板散熱就相對困難。測試結果表明，通過傳導方式的散熱量可佔到80%以上。
同時，CSP晶元正面向下安裝，可以從背面散熱，且散熱效果良好，10mm×10mmCSP的熱阻為35℃/W，而TSOP、QFP的熱阻則可達40℃/W。若通過散熱片強製冷卻，CSP的熱阻可降低到4.2，而QFP的則為11.8[3]。
（5）封裝內無需填料大多數CSP封裝中凸點和熱塑性粘合劑的彈性很好，不會因晶片與基底熱膨脹系數不同而造成應力，因此也就不必在底部填料(underfill)，省去了填料時間和填料費用[5]，這在傳統的SMT封裝中是不可能的。
（6）製造工藝、設備的兼容性好CSP與現有的SMT工藝和基礎設備的兼容性好，而且它的引腳間距完全符合當前使用的SMT標准（0.5~1mm），無需對PCB進行專門設計，而且組裝容易，因此完全可以利用現有的半導體工藝設備、組裝技術組織生產。
2.2CSP的基本結構及分類
CSP的結構主要有4部分：IC晶元，互連層，焊球（或凸點、焊柱），保護層。互連層是通過載帶自動焊接（TAB）、引線鍵合（WB）、倒裝晶元（FC）等方法來實現晶元與焊球（或凸點、焊柱）之間內部連接的，是CSP封裝的關鍵組成部分。CSP的典型結構如圖1所示[6]。
目前全球有50多家IC廠商生產各種結構的CSP產品。根據目前各廠商的開發情況，可將CSP封裝分為下列5種主要類別[7、3]：
（1）柔性基板封裝（FlexCircuitInterposer）由美國Tessera公司開發的這類CSP封裝的基本結構如圖2所示。主要由IC晶元、載帶（柔性體）、粘接層、凸點（銅/鎳）等構成。載帶是用聚醯亞胺和銅箔組成。它的主要特點是結構簡單，可靠性高，安裝方便，可利用原有的TAB（TapeAutomatedBonding）設備焊接。
（2）剛性基板封裝（RigidSubstrateInterposer）由日本Toshiba公司開發的這類CSP封裝,實際上就是一種陶瓷基板薄型封裝，其基本結構見圖3。它主要由晶元、氧化鋁（Al2O3）基板、銅（Au）凸點和樹脂構成。通過倒裝焊、樹脂填充和列印3個步驟完成。它的封裝效率（晶元與基板面積之比）可達到75％，是相同尺寸的TQFP的2.5倍。
（3）引線框架式CSP封裝（CustomLeadFrame）由日本Fujitsu公司開發的此類CSP封裝基本結構如圖4所示。它分為Tape-LOC和MF-LOC
兩種形式，將晶元安裝在引線框架上，引線框架作為外引腳，因此不需要製作焊料凸點，可實現晶元與外部的互連。它通常分為Tape-LOC和MF-LOC兩種形式。
（4）圓片級CSP封裝（Wafer-LevelPackage）由ChipScale公司開發的此類封裝見圖5。它是在圓片前道工序完成後，直接對圓片利用半導體工藝進行後續組件封裝，利用劃片槽構造周邊互連，再切割分離成單個器件。WLP主要包括兩項關鍵技術即再分布技術和凸焊點製作技術。它有以下特點：①相當於裸片大小的小型組件（在最後工序切割分片）；②以圓片為單位的加工成本（圓片成本率同步成本）；③加工精度高（由於圓片的平坦性、精度的穩定性）。
(5)微小模塑型CSP(MinuteMold)由日本三菱電機公司開發的CSP結構如圖6所示。它主要由IC晶元、模塑的樹脂和凸點等構成。晶元上的焊區通過在晶元上的金屬布線與凸點實現互連，整個晶元澆鑄在樹脂上，只留下外部觸點。這種結構可實現很高的引腳數，有利於提高晶元的電學性能、減少封裝尺寸、提高可靠性，完全可以滿足儲存器、高頻器件和邏輯器件的高I/O數需求。同時由於它無引線框架和焊絲等，體積特別小，提高了封裝效率。
除以上列舉的5類封裝結構外，還有許多符合CSP定義的封裝結構形式如μBGA、焊區陣列CSP、疊層型CSP（一種多晶元三維封裝）等。
3CSP封裝技術展望
3.1有待進一步研究解決的問題
盡管CSP具有眾多的優點，但作為一種新型的封裝技術，難免還存在著一些不完善之處。
（1）標准化每個公司都有自己的發展戰略，任何新技術都會存在標准化不夠的問題。尤其當各種不同形式的CSP融入成熟產品中時，標准化是一個極大的障礙[8]。例如對於不同尺寸的晶元，目前有多種CSP形式在開發，因此組裝廠商要有不同的管座和載體等各種基礎材料來支撐，由於器件品種多，對材料的要求也多種多樣，導致技術上的靈活性很差。另外沒有統一的可靠性數據也是一個突出的問題。CSP要獲得市場准入，生產廠商必須提供可靠性數據,以盡快制訂相應的標准。CSP迫切需要標准化，設計人員都希望封裝有統一的規格，而不必進行個體設計。為了實現這一目標，器件必須規范外型尺寸、電特性參數和引腳面積等，只有採用全球通行的封裝標准，它的效果才最理想[9]。
（2）可靠性可靠性測試已經成為微電子產品設計和製造一個重要環節。CSP常常應用在VLSI晶元的制備中，返修成本比低端的QFP要高，CSP的系統可靠性要比採用傳統的SMT封裝更敏感，因此可靠性問題至關重要。雖然汽車及工業電子產品對封裝要求不高，但要能適應惡劣的環境，例如在高溫、高濕下工作，可靠性就是一個主要問題。另外，隨著新材料、新工藝的應用，傳統的可靠性定義、標准及質量保證體系已不能完全適用於CSP開發與製造，需要有新的、系統的方法來確保CSP的質量和可靠性，例如採用可靠性設計、過程式控制制、專用環境加速試驗、可信度分析預測等。
可以說，可靠性問題的有效解決將是CSP成功的關鍵所在[10,11]。
（3）成本價格始終是影響產品（尤其是低端產品）市場競爭力的最敏感因素之一。盡管從長遠來看，更小更薄、高性價比的CSP封裝成本比其他封裝每年下降幅度要大，但在短期內攻克成本這個障礙仍是一個較大的挑戰[10]。
目前CSP是價格比較高，其高密度光板的可用性、測試隱藏的焊接點所存在的困難（必須藉助於X射線機）、對返修技術的生疏、生產批量大小以及涉及局部修改的問題，都影響了產品系統級的價格比常規的BGA器件或TSOP／TSSOP／SSOP器件成本要高。但是隨著技術的發展、設備的改進，價格將會不斷下降。目前許多製造商正在積極採取措施降低CSP價格以滿足日益增長的市場需求。
隨著便攜產品小型化、OEM（初始設備製造）廠商組裝能力的提高及矽片工藝成本的不斷下降，圓片級CSP封裝又是在晶圓片上進行的，因而在成本方面具有較強的競爭力，是最具價格優勢的CSP封裝形式，並將最終成為性能價格比最高的封裝。
此外，還存在著如何與CSP配套的一系列問題，如細節距、多引腳的PWB微孔板技術與設備開發、CSP在板上的通用安裝技術[12]等，也是目前CSP廠商迫切需要解決的難題。
3.2CSP的未來發展趨勢
（1）技術走向終端產品的尺寸會影響攜帶型產品的市場同時也驅動著CSP的市場。要為用戶提供性能最高和尺寸最小的產品，CSP是最佳的封裝形式。順應電子產品小型化發展的的潮流，IC製造商正致力於開發0.3mm甚至更小的、尤其是具有盡可能多I/O數的CSP產品。據美國半導體工業協會預測，目前CSP最小節距相當於2010年時的BGA水平（0.50mm），而2010年的CSP最小節距相當於目前的倒裝晶元（0.25mm）水平。
由於現有封裝形式的優點各有千秋，實現各種封裝的優勢互補及資源有效整合是目前可以採用的快速、低成本的提高IC產品性能的一條途徑。例如在同一塊PWB上根據需要同時納入SMT、DCA，BGA，CSP封裝形式（如EPOC技術）。目前這種混合技術正在受到重視，國外一些結構正就此開展深入研究。
對高性價比的追求是圓片級CSP被廣泛運用的驅動力。近年來WLP封裝因其寄生參數小、性能高且尺寸更小（己接近晶元本身尺寸）、成本不斷下降的優勢，越來越受到業界的重視。WLP從晶圓片開始到做出器件，整個工藝流程一起完成，並可利用現有的標准SMT設備，生產計劃和生產的組織可以做到最優化；硅加工工藝和封裝測試可以在矽片生產線上進行而不必把晶圓送到別的地方去進行封裝測試；測試可以在切割CSP封裝產品之前一次完成，因而節省了測試的開支。總之，WLP成為未來CSP的主流已是大勢所驅[13~15]。
（2）應用領域CSP封裝擁有眾多TSOP和BGA封裝所無法比擬的優點，它代表了微小型封裝技術發展的方向。一方面，CSP將繼續鞏固在存儲器（如快閃記憶體、SRAM和高速DRAM）中應用並成為高性能內存封裝的主流；另一方面會逐步開拓新的應用領域，尤其在網路、數字信號處理器（DSP）、混合信號和RF領域、專用集成電路（ASIC）、微控制器、電子顯示屏等方面將會大有作為，例如受數字化技術驅動，便攜產品廠商正在擴大CSP在DSP中的應用，美國TI公司生產的CSP封裝DSP產品目前已達到90％以上。
此外，CSP在無源器件的應用也正在受到重視，研究表明，CSP的電阻、電容網路由於減少了焊接連接數，封裝尺寸大大減小，且可靠性明顯得到改善。
（3）市場預測CSP技術剛形成時產量很小，1998年才進入批量生產，但近兩年的發展勢頭則今非昔比，2002年的銷售收入已達10.95億美元，佔到IC市場的5%左右。國外權威機構「ElectronicTrendPublications」預測，全球CSP的市場需求量年內將達到64.81億枚，2004年為88.71億枚，2005年將突破百億枚大關，達103.73億枚，2006年更可望增加到126.71億枚。尤其在存儲器方面應用更快，預計年增長幅度將高達54.9%。